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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,14A; Idm: -0,5A; 0,13W


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SI1031R-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI1031R-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: SC75A
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -0,14A
Resistencia en estado de transferencia: 8Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 0,13W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Propiedades de elementos semiconductores: ESD protected gate
Carga de puerta: 1,5nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±6V
Corriente del drenaje en impulso: -0,5A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia
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