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Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2,7A; Idm: -12A; 1,1W


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2,7A; Idm: -12A; 1,1W
Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2,7A; Idm: -12A; 1,1W
N.º art.:
     6Q9VB-SI2307-TP
Fabricante:
     Micro Commercial Components
N.º fabricante:
     SI2307-TP
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23
Tensión drenaje-fuente: -30V
Corriente del drenaje: -2,7A
Resistencia en estado de transferencia: 138mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 1,1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 4,1nC
Tecnología: Trench
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -12A
Resumen de condiciones1
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