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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4,6A; 2,05W; TSOP6


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SI3443CDV-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI3443CDV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: TSOP6
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -4,6A
Resistencia en estado de transferencia: 60mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 2,05W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 7,53nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia
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