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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -7A; Idm: -20A; 2W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SI3499DV-T1-BE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI3499DV-T1-BE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: TSOP6
Tensión drenaje-fuente: -8V
Corriente del drenaje: -7A
Resistencia en estado de transferencia: 48mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 2W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 42nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±5V
Corriente del drenaje en impulso: -20A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.