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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11,1A; Idm: 70A; 3,6W; SO8


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11,1A; Idm: 70A; 3,6W; SO8
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11,1A; Idm: 70A; 3,6W; SO8
N.º art.:
     6Q9VB-SI4056DY-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI4056DY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: SO8
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 11,1A
Resistencia en estado de transferencia: 23mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 3,6W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 29,5nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 70A
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Accesorios
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Tipo
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Accesorios
3M 208-7391-55-1902 ZàCALO, SOIC, ZIF, 8 VÖAS
3M
208-7391-55-1902
a partir de € 20,05*
Accesorios
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Aries
08-350000-11-RC
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Accesorios
Transformador de corriente EPCOS B828, entrada 20A, ratio: 20:1, dim. 8,13 x 7,11 x 5,08 mm
Epcos
B82801B0205A100
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