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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16,1A; Idm: -50A; 4W; SO8


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16,1A; Idm: -50A; 4W; SO8
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16,1A; Idm: -50A; 4W; SO8
N.º art.:
     6Q9VB-SI4401DDY-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI4401DDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: SO8
Tensión drenaje-fuente: -40V
Corriente del drenaje: -16,1A
Resistencia en estado de transferencia: 15mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 4W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 95nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -50A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia
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