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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18,6A; Idm: -60A


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6Q9VB-SI4463CDY-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI4463CDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Diodos
Diodo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: SO8
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -18,6A
Resistencia en estado de transferencia: 14mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 5W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 162nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Corriente del drenaje en impulso: -60A
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Accesorios
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Accesorios
Módulo controlador de puerta IR2117SPBF, CMOS, LSTTL 500 mA SOIC 8N 8 pines
Infineon
IR2117SPBF
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