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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; 21,1W


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Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SI7615CDN-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI7615CDN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® 1212-8
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -35A
Resistencia en estado de transferencia: 20,3mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 21,1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 111nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Resumen de condiciones1
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