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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A


Cantidad:  unidades  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIA429DJT-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIA429DJT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -12A
Resistencia en estado de transferencia: 60mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 19W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 62nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: -30A
Resumen de condiciones1
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Precio
a partir de € 0,30*
  
Precio válido a partir de 1.500.000 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 3.000 unidades
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a partir de 1500000 unidades
€ 0,30*
€ 0,36
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.