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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 50A


Cantidad:  unidades  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIA466EDJ-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIA466EDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Tensión drenaje-fuente: 20V
Corriente del drenaje: 25A
Resistencia en estado de transferencia: 13mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 19,2W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 20nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 50A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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