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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -12A; Idm: -50A


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIA477EDJ-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIA477EDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Tensión drenaje-fuente: -12V
Corriente del drenaje: -12A
Resistencia en estado de transferencia: 32mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 19W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 83nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: -50A
Resumen de condiciones1
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Precio
a partir de € 695,58*
  
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por envase
a partir de 2 envases
€ 738,72*
€ 893,8512
por envase
a partir de 5 envases
€ 719,97*
€ 871,1637
por envase
a partir de 10 envases
€ 707,58*
€ 856,1718
por envase
a partir de 500 envases
€ 695,58*
€ 841,6518
por envase
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.