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Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -4,5A; 6,5W


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIA913ADJ-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIA913ADJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Tensión drenaje-fuente: -12V
Corriente del drenaje: -4,5A
Resistencia en estado de transferencia: 0,115Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET x2
Poder disipado: 6,5W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 20nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: -15A
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
a partir de € 786,96*
  
Precio válido a partir de 500 envases
1 envase contiene 3.000 unidades (a partir de € 0,26232* por unidad)
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Neto
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Unidad
1 envase
€ 846,81*
€ 1.024,6401
por envase
a partir de 2 envases
€ 844,05*
€ 1.021,3005
por envase
a partir de 5 envases
€ 825,39*
€ 998,7219
por envase
a partir de 10 envases
€ 810,75*
€ 981,0075
por envase
a partir de 500 envases
€ 786,96*
€ 952,2216
por envase
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.