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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4,5A; Idm: 15A


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIA918EDJ-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIA918EDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 4,5A
Resistencia en estado de transferencia: 77mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET x2
Poder disipado: 7,8W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 9,5nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: 15A
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Almacén 6Q9VB
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Precios: Almacén 6Q9VB
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Derechos de devolución para este artículo: Almacén 6Q9VB
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