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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A; Idm: 200A


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SIDR680DP-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIDR680DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Tensión drenaje-fuente: 80V
Corriente del drenaje: 100A
Resistencia en estado de transferencia: 3,4mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 125W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 105nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 200A
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