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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,8A; 147W; D2PAK,TO263


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,8A; 147W; D2PAK,TO263
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,8A; 147W; D2PAK,TO263
N.º art.:
     6Q9VB-SIHB12N60E-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHB12N60E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK;TO263
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 7,8A
Resistencia en estado de transferencia: 0,38Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 147W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 58nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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