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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SIHB17N80AE-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHB17N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK;TO263
Tensión drenaje-fuente: 800V
Corriente del drenaje: 10A
Resistencia en estado de transferencia: 0,29Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 179W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 62nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 32A
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