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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 227W


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6Q9VB-SIHB23N60E-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHB23N60E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK;TO263
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 15A
Resistencia en estado de transferencia: 158mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 227W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 95nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 63A
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