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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 100A; 278W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHB33N60EF-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHB33N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK;TO263
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 21A
Resistencia en estado de transferencia: 98mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 278W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 155nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 100A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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