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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3,9A; Idm: 25A; 130W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHFBC40L-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHFBC40L-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: TO262;I2PAK
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 3,9A
Resistencia en estado de transferencia: 1,2Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 130W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 60nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 25A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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