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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2,3A; Idm: 14A; 125W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHFBF30S-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHFBF30S-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK;TO263
Tensión drenaje-fuente: 900V
Corriente del drenaje: 2,3A
Resistencia en estado de transferencia: 3,7Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 125W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 78nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 14A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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