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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3,2A; Idm: 20A; 110W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHFR430ATR-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHFR430ATR-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: DPAK;TO252
Tensión drenaje-fuente: 500V
Corriente del drenaje: 3,2A
Resistencia en estado de transferencia: 1,7Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 110W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 24nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 20A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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