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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1,2A; Idm: -7,6A; 25W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHFR9210TR-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHFR9210TR-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: DPAK;TO252
Tensión drenaje-fuente: -200V
Corriente del drenaje: -1,2A
Resistencia en estado de transferencia: 3Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 25W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 8,9nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -7,6A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.