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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO247AC


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHG050N60E-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHG050N60E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: TO247AC
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 32A
Resistencia en estado de transferencia: 50mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 278W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 130nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 155A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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