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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 101A; 313W; TO247AC


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6Q9VB-SIHG33N65E-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHG33N65E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: TO247AC
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 21A
Resistencia en estado de transferencia: 0,105Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 313W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 173nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 101A
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Accesorios
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Tipo
Imagen
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Accesorios
BOYD SW38-2G HEAT SINK, TO-220/218, 10°C/W
BOYD
SW38-2G
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Accesorios
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SK 145/37,5 STS-220
a partir de € 2,04*
Accesorios
PEAK ELECTRONIC DESIGN DCA55T ANALIZADOR, 103X70X20MM, SEMICONDUCTOR
Peak Electronic
DCA55T
a partir de € 80,69*
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