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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 111A; 313W; TO247AC


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6Q9VB-SIHG47N60AEF-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHG47N60AEF-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: TO247AC
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 25A
Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 313W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 189nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 111A
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