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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 202A; 520W; TO247AC


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHG64N65E-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHG64N65E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: TO247AC
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 40A
Resistencia en estado de transferencia: 47mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 520W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 369nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 202A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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