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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12,5A; Idm: 53A; 156W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHH21N65EF-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHH21N65EF-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® 8x8L
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 12,5A
Resistencia en estado de transferencia: 0,18Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 156W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 102nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 53A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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