N.º art.: 6Q9VB-SIHK055N60EF-T1GE3
N.º fabricante: SIHK055N60EF-T1GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Fabricante: VISHAYMontaje: SMDCarcasa: PowerPAK® 1012Tensión drenaje-fuente: 600VCorriente del drenaje: 26AResistencia en estado de transferencia: 58mΩTipo de transistor: N-MOSFETPoder disipado: 236WPolarización: unipolarClase de empaquetado: cinta;bobinaPrecio unitario: NoCarga de puerta: 90nCClase de canal: enriquecidoTensión puerta-fuente: ±30VCorriente del drenaje en impulso: 110A
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