Categorías
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse
Cesta
 
 

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
Product Image
N.º art.:
     6Q9VB-SIHK125N60EF-T1GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHK125N60EF-T1GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 21A
Resistencia en estado de transferencia: 0,125Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 132W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 45nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 54A
Ofertas (3)
Stock en almacén
Cantidad de pedido mín.
Envío
Precio escalonado
Precio unitario
^
2000
Envío gratuito
a partir de € 2,39*
€ 2,39*
Almacén 6Q9VB
2000
€ 7,90*
a partir de € 3,63*
€ 4,23*
1 día
2000
1
€ 14,99*
a partir de € 2,44*
€ 5,29*
Precios: Almacén 6Q9VB
Cantidad de pedido
Neto
Bruto
Unidad
a partir de 2000 unidades
€ 4,23*
€ 5,12
por unidad
a partir de 7500 unidades
€ 3,63*
€ 4,39
por unidad
Pedidos sólo en múltiplos de 2.000 unidades
Cantidad de pedido mínima: 2000 unidades ( equivale a € 8.460,00* con IVA no incluido )
Stock en almacén: Almacén 6Q9VB
Envío: Almacén 6Q9VB
Permita que le mostremos la información de stock detallada en almacén.
Valor de pedido
Envío
a partir de € 0,00*
€ 7,90*
Derechos de devolución para este artículo: Almacén 6Q9VB
Este artículo está excluido de cancelación, cambio o devolución.
El plazo de garantía según las CGC persiste independientemente de los derechos de devolución indicados.
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.