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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHP100N60E-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHP100N60E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: TO220AB
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 19A
Resistencia en estado de transferencia: 0,1Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 208W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 50nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 73A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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