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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO220AB


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHP11N80E-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHP11N80E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: TO220AB
Tensión drenaje-fuente: 800V
Corriente del drenaje: 8A
Resistencia en estado de transferencia: 440mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 179W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 88nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 32A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, mosfet de potencia
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