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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6Q9VB-SIHP12N60E-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHP12N60E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: TO220AB
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 7,8A
Resistencia en estado de transferencia: 0,38Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 147W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 58nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 27A
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