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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; TO220AB


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHP14N60E-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHP14N60E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: TO220AB
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 8A
Resistencia en estado de transferencia: 309mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 147W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 64nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 32A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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