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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3,4A; Idm: 10A; 104W


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SIHU5N50D-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHU5N50D-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: IPAK;TO251
Tensión drenaje-fuente: 500V
Corriente del drenaje: 3,4A
Resistencia en estado de transferencia: 1,5Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 104W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 20nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 10A
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