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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIR112DP-T1-RE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIR112DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® SO8
Tensión drenaje-fuente: 40V
Corriente del drenaje: 133A
Resistencia en estado de transferencia: 2,65mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 62,5W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 89nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Corriente del drenaje en impulso: 200A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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