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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A; 26,7W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIR426DP-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIR426DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® SO8
Tensión drenaje-fuente: 40V
Corriente del drenaje: 30A
Resistencia en estado de transferencia: 10,5mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 26,7W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 31nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 70A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.