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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A; 66,6W


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SIR470DP-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIR470DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® SO8
Tensión drenaje-fuente: 40V
Corriente del drenaje: 60A
Resistencia en estado de transferencia: 2,3mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 66,6W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 155nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 100A
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