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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIR626LDP-T1-RE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIR626LDP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® SO8
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 186A
Resistencia en estado de transferencia: 2,1mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 104W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 135nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 400A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.