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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 200A


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SIR668DP-T1-RE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIR668DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® SO8
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 95A
Resistencia en estado de transferencia: 5,05mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 104W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 108nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 200A
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