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Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIR770DP-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIR770DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® SO8
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 8A
Resistencia en estado de transferencia: 25mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Poder disipado: 17,8W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 21nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 35A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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