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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53,7A; Idm: 100A


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SIR872ADP-T1-RE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIR872ADP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® SO8
Tensión drenaje-fuente: 150V
Corriente del drenaje: 53,7A
Resistencia en estado de transferencia: 23mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 104W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 47nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 100A
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