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Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SIRC06DP-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIRC06DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® SO8
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 60A
Resistencia en estado de transferencia: 4mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET + Schottky
Poder disipado: 32W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 58nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -16...20V
Corriente del drenaje en impulso: 100A
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