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Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A


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Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIRC18DP-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIRC18DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® SO8
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 60A
Resistencia en estado de transferencia: 1,54mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET + Schottky
Poder disipado: 34,7W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 111nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -16...20V
Corriente del drenaje en impulso: 250A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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