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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIRS700DP-T1-RE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIRS700DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® SO8
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 102A
Resistencia en estado de transferencia: 4,3mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 84W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 130nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 350A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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