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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -25A; Idm: -40A


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SISH407DN-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SISH407DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® 1212-8
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -25A
Resistencia en estado de transferencia: 19,5mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 21W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 93,8nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: -40A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia
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