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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SISH410DN-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SISH410DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® 1212-8
Tensión drenaje-fuente: 20V
Corriente del drenaje: 35A
Resistencia en estado de transferencia: 6,3mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 33W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 41nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 60A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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