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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; 75,2A; Idm: -120A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SISS65DN-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SISS65DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® 1212-8
Tensión drenaje-fuente: -30V
Corriente del drenaje: 75,2A
Resistencia en estado de transferencia: 7,5mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 42,1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 138nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -120A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.