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Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 200V; 11,2A; Idm: 30A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SISS98DN-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SISS98DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® 1212-8
Tensión drenaje-fuente: 200V
Corriente del drenaje: 11,2A
Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 36W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 18,2nC
Tecnología: ThunderFET
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 30A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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