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Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIZ980DT-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIZ980DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 20/60A
Resistencia en estado de transferencia: 10/2,2mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Poder disipado: 20/66W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 18/77nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Corriente del drenaje en impulso: 90...130A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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