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Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7/-4,5A; Idm: 18÷28A; 2W


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SP8M10FRATB
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     SP8M10FRATB
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: SOP8
Tensión drenaje-fuente: 30/-30V
Corriente del drenaje: 7/-4,5A
Resistencia en estado de transferencia: 37/90mΩ
Tipo de transistor: N/P-MOSFET
Poder disipado: 2W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 8,4/8,5nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 18...28A
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